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批次：- - 库存： 起订量： 最小包装量： 商品型号：ECH8619-TL-E 制造商：ON FET 类型：N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门 漏源电压（Vdss）：60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A，2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12.8nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：560pF @ 20V 功率 - 最大值：1.5W 工作温度：150°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：8-SMD，扁平引线 供应商器件封装：8-ECH 介绍： 电子元器件ECH8619-TL-E由ON设计生产制造，在猎芯网品牌商城有售。您可选择下载中文资料等数据手册功能说明书，资料中有ONECH8619-TL-E的详细使用方法及教程。
批次：- -
库存：
起订量：
最小包装量：
商品型号：ECH8619-TL-E
制造商：ON
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A，2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：93 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：560pF @ 20V
功率 - 最大值：1.5W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：8-ECH
