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商品型号:DMG9933USD-13
制造商:DIODES
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 4.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):6.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):608.4pF @ 6V
功率 - 最大值:1.15W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
介绍:电子元器件DMG9933USD-13由Diodes设计生产制造,在猎芯网品牌商城有售。您可选择下载中文资料等数据手册功能说明书,资料中有DiodesDMG9933USD-13的详细使用方法及教程。